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IEC 60749-28 Ed. 1.0 Edition 03/2017
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essai mécaniques et climatiques - Partie 28: Essai de sensibilité aux décharges électrostatiques (DES) Modèle de dispositif chargé par contact direct (DC-CDM)
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Résumé

IEC 60749-28:2017(E) establishes the procedure for testing, evaluating, and classifying devices and microcircuits according to their susceptibility (sensitivity) to damage or degradation by exposure to a defined field-induced charged device model (CDM) electrostatic discharge (ESD). All packaged semiconductor devices, thin film circuits, surface acoustic wave (SAW) devices, opto-electronic devices, hybrid integrated circuits (HICs), and multi-chip modules (MCMs) containing any of these devices are to be evaluated according to this document. To perform the tests, the devices are assembled into a package similar to that expected in the final application. This CDM document does not apply to socketed discharge model testers. This document describes the field-induced (FI) method. An alternative, the direct contact (DC) method, is described in Annex I.<br /> The purpose of this document is to establish a test method that will replicate CDM failures and provide reliable, repeatable CDM ESD test results from tester to tester, regardless of device type. Repeatable data will allow accurate classifications and comparisons of CDM ESD sensitivity levels.

Statut

Standard - Actif

Origine

Comité technique :
47 : Semiconductor devices

Mise en application

début du vote sur le projet      date de ratification (dor)   
fin du vote sur le projet      date d'annonce (doa)   
début du vote sur le projet final      date de publication (dop)   
fin du vote sur le projet final      date de retrait (dow)   


Publication au Journal officiel
du Grand-Duché de Luxembourg
Référence

Classification internationale pour les normes (codes ICS) :

31.080.01 : Semiconductor devices in general

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