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IEC 60747-9 Ed.3.0 Edition 11/2019
Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
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  • 345.6 / Kopie
  •  
 

Abstract

IEC 60747-9:2019 specifies product specific standards for terminology, letter symbols, essential ratings and characteristics, verification of ratings and methods of measurement for insulated-gate bipolar transistors (IGBTs).
This third edition includes the following significant technical changes with respect to the previous edition:
  1. reverse-blocking IGBT and its related technical contents have been added;
  2. reverse-conducting IGBT and its related technical contents have been added;
  3. some parts of the previous edition have been amended, combined or deleted.

Status

Standard - Aktiv

Ursprung

Technisches Komitee :
47E : Discrete semiconductor devices

Annahme

Beginn der Abstimmung über den Entwurf      Datum der Ratifizierung (dor)   
Ende der Abstimmung über den Entwurf      Datum der Ankündigung (doa)   
Beginn der Abstimmung über den Schlussentwurf      Datum der Veröffentlichung (dop)   
Ende der Abstimmung über den Schlussentwurf      Datum der Zurückziehung (dow)   


Veröffentlichung im Amtsblatt
des Grossherzogtum Luxemburg
Referenz

Relations

Relations to older standards
IEC 60747-9 Ed. 2.0

Internationale Normungsklassifizierung (ICS) :

31.080.01 : Semiconductor devices in general
31.080.30 : Transistors

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