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IEC 60747-9 Ed. 1.0 Edition 08/1998
Semiconductor devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
  •   
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  • 191 / Kopie
  •  
 

Abstract

Gives product specific standards for terminology, letter symbols, essential ratings and characteristics and measuring methods for insulated-gate bipolar transistors (IGBTs).

Status

Standard - Ersetzt

Ursprung

Technisches Komitee :
47E : Discrete semiconductor devices

Annahme

Beginn der Abstimmung über den Entwurf      Datum der Ratifizierung (dor)   
Ende der Abstimmung über den Entwurf      Datum der Ankündigung (doa)   
Beginn der Abstimmung über den Schlussentwurf      Datum der Veröffentlichung (dop)   
Ende der Abstimmung über den Schlussentwurf      Datum der Zurückziehung (dow)   


Veröffentlichung im Amtsblatt
des Grossherzogtum Luxemburg
Referenz

Relations

Evolutions
IEC 60747-9 Ed. 2.0

Internationale Normungsklassifizierung (ICS) :

31.080 : Semiconductor devices

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