Résumé
Décrit les formes d'onde de courant de décharge utilisées pour définir le MM et les prescriptions d'appareils de base utilisés pour développer ces formes d'onde. Les paramètres d'essai sont définis pour les essais et la classification de la sensibilité des décharges électrostatiques (ESD) des composants à semiconducteur dispositifs de faible puissance au MM.
L'objet de cette norme est d'établir un modèle d'essai qui reproduit des défaillances du MM et définit la forme de la décharge de courant transitoire du MM et tous les paramètres d'essai nécessaires pour assurer des résultats d'essai fiableset reproductibles. Les données reproductibles permettent des comparaisons précises des niveaux de sensibilité des décharges électrostatiques (ESD) du MM.
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