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IEC 63068-3 Ed.1.0 Edition 07/2020
Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 3: Test method for defects using photoluminescence
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  • 167.7 / Kopie
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Abstract

IEC 63068-3:2020 provides definitions and guidance in use of photoluminescence for detecting as-grown defects in commercially available 4H-SiC (Silicon Carbide) epitaxial wafers. Additionally, this document exemplifies photoluminescence images and emission spectra to enable the detection and categorization of the defects in SiC homoepitaxial wafers.

Status

Standard - Aktiv

Ursprung

Technisches Komitee :
47 : Semiconductor devices

Annahme

Beginn der Abstimmung über den Entwurf      Datum der Ratifizierung (dor)   
Ende der Abstimmung über den Entwurf      Datum der Ankündigung (doa)   
Beginn der Abstimmung über den Schlussentwurf      Datum der Veröffentlichung (dop)   
Ende der Abstimmung über den Schlussentwurf      Datum der Zurückziehung (dow)   


Veröffentlichung im Amtsblatt
des Grossherzogtum Luxemburg
Referenz

Internationale Normungsklassifizierung (ICS) :

31.080.99 : Other semiconductor devices

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