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IEC 63068-3 Ed.1.0 Edition 07/2020
Dispositifs à semiconducteurs - Critères de reconnaissance non destructifs des défauts au sein d’une plaquette homoépitaxiale de carbure de silicium pour des dispositifs d’alimentation - Partie 3 : Méthode d’essai pour les défauts à l’aide de la photoluminescence
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  • 167.7 / exemplaire
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Résumé

L’IEC 63068-3:2020 décrit les définitions et les recommandations relatives à l’utilisation de la photoluminescence pour la détection de défauts bruts au sein de plaquettes homoépitaxiales en carbure de silicium (4H-SiC) disponibles dans le commerce. De plus, le présent document donne des exemples d’images de photoluminescence et de spectres d’émission, permettant la détection et la catégorisation des défauts au sein de plaquettes homoépitaxiales en SiC.

Statut

Standard - Actif

Origine

Comité technique :
47 : Semiconductor devices

Mise en application

début du vote sur le projet      date de ratification (dor)   
fin du vote sur le projet      date d'annonce (doa)   
début du vote sur le projet final      date de publication (dop)   
fin du vote sur le projet final      date de retrait (dow)   


Publication au Journal officiel
du Grand-Duché de Luxembourg
Référence

Classification internationale pour les normes (codes ICS) :

31.080.99 : Other semiconductor devices

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