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IEC 63275-2 Ed.1.0 Edition 05/2022
Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Part 2: Test method for bipolar degradation due to body diode operation
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  • 35.3 / Kopie
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Abstract

IEC 63275-2:2022 gives the test method and a procedure using this method to evaluate the on-state voltage change, on-state resistance change and reverse drain voltage change of silicon carbide (SiC) power MOSFET devices due to body diode operation. This test is not generally requested for Si power transistors.

Status

Standard - Aktiv

Ursprung

Technisches Komitee :
47 : Semiconductor devices

Annahme

Beginn der Abstimmung über den Entwurf      Datum der Ratifizierung (dor)   
Ende der Abstimmung über den Entwurf      Datum der Ankündigung (doa)   
Beginn der Abstimmung über den Schlussentwurf      Datum der Veröffentlichung (dop)   
Ende der Abstimmung über den Schlussentwurf      Datum der Zurückziehung (dow)   


Veröffentlichung im Amtsblatt
des Grossherzogtum Luxemburg
Referenz

Internationale Normungsklassifizierung (ICS) :

31.080.30 : Transistors

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