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IEC 63275-2 Ed.1.0 Edition 05/2022
Dispositifs à semiconducteurs - Méthode d’essai de fiabilité pour les transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteurs discrets en carbure de silicium - Partie 2: Méthode d’essai de la dégradation bipolaire due au fonctionnement de la diode intrinsèque
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  • 35.3 / exemplaire
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Résumé

L’IEC 63275-2:2022 donne la méthode d’essai et une procédure utilisant cette méthode pour évaluer la dérive de la tension à l’état passant, la dérive de la résistance à l’état passant et la variation de tension de drain inverse des dispositifs MOSFET de puissance en carbure de silicium (SiC) en raison du fonctionnement de la diode intrinsèque. Cet essai n’est généralement pas demandé pour les transistors de puissance en Si.

Statut

Standard - Actif

Origine

Comité technique :
47 : Semiconductor devices

Mise en application

début du vote sur le projet      date de ratification (dor)   
fin du vote sur le projet      date d'annonce (doa)   
début du vote sur le projet final      date de publication (dop)   
fin du vote sur le projet final      date de retrait (dow)   


Publication au Journal officiel
du Grand-Duché de Luxembourg
Référence

Classification internationale pour les normes (codes ICS) :

31.080.30 : Transistors

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